さ行

サーミスタ

温度変化に対して抵抗が大きく変わる感温抵抗。温度検出に用いられます。

最小受信感度

一定のビットエラーレートを確保するために最小限必要な受光電力。伝送ビットレート、必要なビットエラーレート、測定に使用する擬似ランダム符号の種類、消光比などによって値が変わります。

遮断周波数

出力に変化のない周波数領域から3 dB減衰する周波数。遮断周波数 (fc)と上昇時間 (tr)の関係は、おおよそ以下の式で表されます。$$tr [s]=\frac{0.35}{fc}[Hz]$$

受光感度

光電流をアンペア (A) [または出力電圧をボルト (V)]、入射光量をワット (W) で表したときの両者の比率。受光感度は、絶対感度 (単位: A / WまたはV/W)で示す場合と最大感度波長での感度を100として正規化した相対感度 (単位: %)で示す場合があります。当社は、最大感度に対し通常5%あるいは10%以上の感度をもつ波長の範囲を感度波長範囲と規定しています。

消光比

光波の強度変調において、光強度のとりうる最小値と最大値の比。デジタル光通信の場合、ロジック“1”を伝達する場合の光強度と、ロジック“0”を伝達する場合の光強度の比で表します。消光比は、リニア比、dB、%のいずれかの単位で表されます。

[デジタル光通信における消光比]$$ 消光比 (リニア比) = \frac{I(1)}{I(0)} $$ $$ 消光比 [dB] = 10\ log^{10}{{消光比 (リニア比)}} $$ $$ 消光比 [%] = \frac{I(0)}{I(1)} \cdot 100 $$   I(1): ロジック“1”を伝達する場合の光強度
  I(0): ロジック“0”を伝達する場合の光強度

上昇時間

上昇時間は、ステップ関数の光入力に対する立ち上がりの時間で規定し、出力が最高値 (定常値)の10%から90%になるまでの時間。

シングルモードファイバ

単一の横モード (電磁界分布)で光を伝送するファイバ。伝送損失が小さく、モード分散の影響がないため、長距離伝送に適しています。一方、コア径が小さいため、発光素子と接続する場合には精密な調芯が必要です。

シンクロトロン放射光

電子や陽電子を光速近くまで加速して、磁場の中で曲げると発生する強力な光。赤外からX線までの広い波長域をもち、一般のX線発生装置から得られる光に比べて1億倍以上も明るい光です。医学・物理・化学など、広い分野への応用が研究されています。

シンチレータ

X線などの放射線を受けて発光する物質。シンチレータには無機物と有機物があり、無機物には、CsI (ヨウ化セシウム)などにTl (タリウム)のような活性剤を微量添加し、発光効率をよくした結晶体や粉体があります。有機物には、ナフタリン、アントラセン、プラスチック、液体シンチレータ、ルモゲン (lumogen)があります。ルモゲンは、紫外線により発光する物質で、紫外感度がない表面入射型CCDにコーティングして使われることがあります。

ステルスダイシングTMプロセス

レーザを用いてウエハ内部に改質層を形成させ、ウエハを高品質に分割する新しいダイシング方法。当社が開発した方法で、透過光を使用するためウエハ表面に熱ダメージが発生しません。また、削りしろがないため、ウエハ当たりのチップ収率を究極まで高めることが可能です。従来からのダイシング方法にある破砕飛散物による汚染が一切なく、洗浄水を必要としない完全ドライプロセス化を実現します。

スミア(smear)

イメージセンサにおいて、強い入射光によって発生した信号電荷が隣接する画素やCCD転送領域に漏れ込んで元の信号が劣化する (ぼやける)現象。ブルーミングが飽和後に発生するのに対して、スミアは飽和前でも発生します。なおスミアは、短波長光よりも長波長光の場合に起きやすい現象です。

積分容量

電流出力型のNMOSリニアイメージセンサなどでは、信号処理が容易でないため、反転入力型オペアンプに帰還容量 (Cf)を付加した回路を用いることにより、低ノイズで取り扱いが容易な電圧出力に変換します。この帰還容量は、積分容量と呼ばれます。積分容量を周期的にリセットすることによって、電荷 (Q)を電圧に変換した出力 (V=Q/Cf)となります。積分容量の値が小さいほど大きな出力を得ることができます。

増倍率

フォトンの入射によって励起されたキャリア (電子または正孔)が増倍されて、何倍の数のキャリアとして出力されるかを表します。APDの場合は、低バイアス時の増倍されない光電流 Ip0と、高バイアス印加時の増倍された光電流 Ipの比で増倍率 (M)を定義します。$$ M=\frac{Ip}{Ip0} $$ MPPCの場合は、1つの出力パルスの電荷量を1電子当たりの電荷量で割った値が増倍率となります。$$ M=\frac{1つの出力パルスの電荷量}{q} $$   q: 1電子当たりの電荷量