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紫外域 (λ=266 nm)の検出に特化

半導体検査装置用Si APD S14124-20

S14124-20は、波長 266 nmの紫外光に高い感度をもったSi APDです。

半導体の製造工程では、回路パターンなどの微細化に伴い、検出すべきウエハ上の欠陥サイズも小さくなっています。
その欠陥の検出精度を上げるため、(光学式の)半導体検査装置には短波長の光源や紫外光に高い感度をもつ検出器が用いられています。

新製品のS14124-20は、半導体検査装置の光源に用いられるYAGレーザの第4高調波である266 nmの光に対して、87%の高い量子効率を実現しています。
半導体検査装置をはじめ、レーザ加工装置、フォトマスクの欠陥検査装置の検出器としてお使いいただけます。

量子効率-波長

仕様

項目 NEW S14124-20 単位
受光面サイズ φ 2.0 mm
パッケージ TO-8 -
降伏電圧 400 V
量子効率 (λ=266 nm) 87 %
暗電流 10 max. nA
遮断周波数 250 MHz
増倍率 50 ~ 400 -

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