InGaAs APD

G14858-0020AA

暗電流を大幅に低減したAPD

新たな素子構造の採用と、プロセス工程の改善により、従来品よりも大幅に暗電流を低減したInGaAs APD (アバランシェ・フォトダイオード)です。距離計測・微弱光検出などに用いられます。


■特長
・低暗電流
・低容量
・高感度

素子数 1
受光面サイズ φ0.2 mm
パッケージ メタル
パッケージカテゴリ TO-18
感度波長範囲 950~1700 nm
最大感度波長 typ. 1550 nm
受光感度 typ. 0.8 A/W
暗電流 max. 50 nA
遮断周波数 typ. 900 MHz
端子間容量 typ. 2 pF
降伏電圧 typ. 65 V
降伏電圧の温度係数 typ. 0.1 V/℃
測定条件 Ta=25 ℃, 受光感度: λ=1.55 μm, M=1

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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