ら行

リーチスルー型
量子効率
励起

リーチスルー型

APDにおいて、PN接合境界付近に不純物濃度が一様でない領域を設けた構造 (例:N+-P-π-P+層)。π層が光吸収領域となり、ここで発生したキャリアがP層で増倍されます。APDを高速化するために高逆電圧を加えπ層を空乏層化 (リーチスルー)して使用するため、リーチスルー型といわれています。

量子効率

光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォトン数で割った値。通常、パーセントで表されます。量子効率 QEと受光感度 S (単位: A/W)は、ある波長 λ (単位: nm)において以下の関係にあります。$$ QE=\biggl( \frac{S \cdot 1240}{\lambda}\biggr)\cdot 100\ [％] $$

励起

半導体の場合、エネルギーの低い価電子帯からエネルギーの高い伝導体へ電子が上がることを示します。熱により電子がエネルギーを受けて励起することを熱励起といいます。また、光により電子がエネルギーを受けて励起することを光励起といい、フォトダイオードによる光の吸収がそれに当たります。