InGaAsリニアイメージセンサ

G11476-256WB

近赤外イメージセンサ (0.9~2.05 μm)

G11475~G11478シリーズは、近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。こ れらのリニアイメージセンサは、InGaAsフォトダイオードアレイとCMOSチップ上に形成されたチャージアンプ、オフセット補償回路、シフトレジスタ、およびタイミング発生回路で構成されています。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、 InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため、近赤外域で高い感度と安定した動作が得られます。従来品に比べてデータレートが上がり、高ゲイン時のリニアリティ特性も向上してい ます。パッケージは気密封止されており信頼性に優れています。 CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって2種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から選択できます。


■特長
・低ノイズ、低暗電流
・2種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)

イメージサイズ 12.8 x 0.25 mm
画素サイズ 50 x 250 μm
画素ピッチ 50 μm
総画素数 256 pixels
パッケージ メタル
冷却 2段電子冷却
ラインレート max. 17200 ライン/s
感度波長範囲 900~2050 nm
暗電流 max. 40 pA
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃,Tchip=-20℃

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

旧製品

型名 イメージサイズ 画素サイズ 画素ピッチ 総画素数 ラインレート max. 感度波長範囲
G9206-256WB 12.8 × 0.25 mm 50 × 250 μm 50 μm 256 pixels 1910 ライン/s 900~2050 nm

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