InGaAsリニアイメージセンサ

G11508-256SA

近赤外イメージセンサ(0.9~1.67 μm)

G11508シリーズは、近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。 これらのリニアイメージセンサは、InGaAsフォトダイオードアレイとCMOSチップ上に形成されたチャージアンプ、オフセット補償 回路、シフトレジスタ、およびタイミング発生回路で構成されています。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、 InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため、近赤外 域で高い感度と安定した動作が得られます。
従来品に比べてデータレートが上がり、高ゲイン時のリニアリティ特性も向上してい ます。
パッケージは気密封止されており信頼性に優れています。 CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって2種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から選択できます。


■特長
・低ノイズ、低暗電流
・2種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)

イメージサイズ 12.8 x 0.5 mm
画素サイズ 50 x 500 μm
画素ピッチ 50 μm
総画素数 256 pixels
パッケージ メタル
冷却 1段電子冷却
ラインレート max. 17200 ライン/s
感度波長範囲 900~1700 nm
暗電流 max. 10 pA
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 感度波長範囲: Tchip=-10 ℃

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

製品の購入やさらに詳しい情報についてはお問い合わせください。

  • 資料請求
  • 価格
  • 納期
  • カスタマイズ
  • サンプル請求
  • サポート
  • その他

お問い合わせ

お問い合わせ内容によっては、回答にお時間をいただく場合やお答えできない場合がございますので、あらかじめご了承ください。