Si PINフォトダイオード

S9055

高周波帯域までフラットな応答特性を実現

低バイアス電圧 (VR=2 V)で1 GHzを超える高速応答を実現したフォトダイオードです。低容量 (1 pF以下)のため、高速トラ ンスインピーダンスアンプとの組み合わせに適しています。


■特長
・高周波帯域までフラットな応答特性を実現
・高速応答: 1.5 GHz (VR=2 V, -3 dB)
・低容量: 0.8 pF (VR=2 V)
・高信頼性パッケージ: 3ピンTO-18パッケージ

受光面サイズ φ0.2 mm
素子数 1
パッケージ メタル
パッケージカテゴリ TO-18
冷却 非冷却
逆電圧 max. 20 V
感度波長範囲 320~1000 nm
最大感度波長 typ. 700 nm
受光感度 typ. 0.25 A/W
暗電流 max. 100 pA
遮断周波数 typ. 1500 MHz
端子間容量 typ. 0.8 pF
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=850 nm, 暗電流: VR=2 V, 遮断周波数: VR=2 V, 端子間容量: VR=2 V, f=1 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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