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InGaAsリニアイメージセンサ

G11620-256DF

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近赤外イメージセンサ (0.95~1.7 μm)
シングルビデオライン: 256画素

G11620シリーズは、近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。CMOSチップはチャージアンプ、シフトレジスタ、およびタイミング発生回路で構成されています。従来品は2つのCMOSチップを内蔵していましたが、本製品はバンプ接続を採用することによって1チップ化を実現しています。この構造によって、奇数画素と偶数画素のビデオ出力差を低減しました。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため、広い感度波長範囲で高い感度と安定した動作が得られます。
CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって2種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から用途に適した値を選択できます。


■特長
・低ノイズ、低暗電流
・2種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)
・高分解能: 25 μmピッチ

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仕様

イメージサイズ 6.4 x 0.5 mm
画素サイズ 25 x 500 μm
画素ピッチ 25 μm
総画素数 256 pixels
パッケージ セラミック
冷却 非冷却
ラインレート max. 17200 ライン/s
感度波長範囲 950~1700 nm
暗電流 max. 5 pA
測定条件 unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP,Vinp=PDN=4 V,Fvref=1.2V,Vφ=5V,f=1 MHz

分光感度特性

KMIRB0051

外形寸法図 (単位: mm)

KMIRA0030

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