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InGaAsエリアイメージセンサ

G14674-0808W

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320 × 256 画素の近赤外2次元イメージセンサ
(感度波長範囲: 1.70~2.55 μm)

G14674-0808Wは、CMOS読み出し回路 (ROIC: readout integrated circuit)と裏面入射型InGaAsフォトダイオードのハイブリッド構造を採用しています。1画素は1つのInGaAsフォトダイオードと1つのROICによって構成され、Inバンプにより電気的に接続されています。ROICにはタイミング発生器が内蔵されており、簡単なデジタル入力で、アナログビデオ出力が得られます。 G14674-0808Wは320 × 256 画素が20 μmピッチで配列され、ビデオラインから信号が読み出されます。入射光はInGaAsフォトダイオードで光電変換された後、Inバンプを介してROICに入力されます。ROICで電圧変換して、シフトレジスタにより順次ビデオラインから出力されます。なお2段電子冷却型でハーメチック構造のメタルパッケージのため安定動作を実現しています。


■特長
・感度波長範囲: 1.70~2.55 μm
・高感度: 3.5 μV/e-
・フレームレート: 509 フレーム/s max.
 [4ポート、全画素読み出し、最小積分時間=1 μs]
・低暗電流
・グローバルシャッタモード
・部分読み出し機能
・簡易動作 (タイミング発生器内蔵)
・2段電子冷却型

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仕様

感度波長範囲 1700~2550 nm
最大感度波長 typ. 2200 nm
イメージサイズ 6.40 × 5.12 mm
画素サイズ 20 × 20 μm
画素ピッチ 20 μm
総画素数 320 × 256 pixels
パッケージ メタル
冷却 2段電子冷却
フレームレート max. 509 フレーム/s
暗電流 30 pA
測定条件 Ta=25 ℃, Tchip=-20 ℃, Vdd=5 V, Vdd(3.3 V)=Port_sel=Mode=3.3 V, Vb1=0.83 V, PD_bias=4.28 V, INP=4.2 V

分光感度特性

KMIRB0114EA.svg

外形寸法図 (単位: mm)

KMIRA0034EA.svg

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