Si PINフォトダイオード

S2744-08

大面積Si PINフォトダイオード


■特長
・BGO、CsI(TI)シンチレータに適した感度
・低容量
・高速応答
・高安定性
・高エネルギー分解能

受光面サイズ 20 × 10 mm
素子数 1
パッケージ セラミック
冷却 非冷却
逆電圧 max. 100 V
感度波長範囲 340~1100 nm
最大感度波長 typ. 960 nm
受光感度 typ. 0.66 A/W
暗電流 max. 10000 pA
遮断周波数 typ. 25 MHz
端子間容量 typ. 85 pF
雑音等価電力 typ. 4.7×10-14 W/Hz1/2
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=λp, 暗電流: VR=70 V, 遮断周波数: VR=70 V, 端子間容量: VR=70 V, f=1 MHz, 雑音等価電力: VR=70 V

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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