FAQ | Si APD

降伏電圧をランク分けすることはできますか?

近赤外タイプ (低バイアス動作型)のS12023-02/-05/-10/-10A、S12051、S12086、S3884について、80~120 V、120~160 V、160~200 Vの3ランクを標準品として用意しています。

Si APDの出力直線性 (出力電流-光量)の上限はどの程度ですか?

数百µA程度の出力電流から直線性は損なわれます。

APDの増倍率の定義について教えてください。

APDに高バイアスを印加して増倍された光電流と、バイアスを印加せず増倍が発生していないときの光電流の比です。

近赤外タイプの低バイアス動作型と低温度係数型で動作温度の下限が異なるのはなぜですか?

低バイアス動作型と低温度係数型では同じパッケージを使用していますが、低バイアス動作型は温度係数が大きく、低温では端子間容量が大きくなり応答が低下するため、動作温度の下限を-20 ℃としています。

APDと光電子増倍管の違いを教えてください。

APDは半導体素子で、光電子増倍管と比べ量子効率が高い、小型化が可能、磁界に影響されない、ダイナミックレンジが広いなどの特長があります。その一方で、ノイズが大きく、増倍率が低いため、極微弱光の検出においては光電子増倍管の方が優れています。

温度変化に対して、増倍率を一定に保つ方法を教えてください。

PN接合の順方向電圧をモニタしたり、温度変化を検出するためにサーミスタを用いる方法があります。これによってAPDのバイアス電圧にフィードバックをかけ、増倍率を一定に保ちます。また、APDを定電流で駆動させて、バイアス電圧を自動的に温度に追従させる方法もあります。

PINフォトダイオードとの違いを教えてください。

PINフォトダイオードは負荷抵抗の熱雑音や、アンプ雑音によって検出限界が制限されます。APDは、内部増倍効果があるため、熱雑音以上に信号を増倍することが可能で、高速・低ノイズの光検出が可能です。

受光面サイズの大きいタイプを用意していますか?

大受光面のSi APDを実現するためには、増倍率を均一にする技術が必要です。現在では10 ×10 mm (S8664-1010)まで対応しています。

アレイ化についての対応を教えてください。

受光面サイズ、形状、素子間の増倍率のバラツキ、素子間ギャップなどについて特注品の対応が可能です。標準品として、S8550-02 (4×8素子)を用意しています。

どの程度まで弱い光を検出できますか?

近赤外タイプ (低バイアス動作)のS12023-02の場合、NEP (雑音等価電力)は5×10-16 W/Hz1/2 typ.程度です。

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