Siフォトダイオードアレイ

S11142-10

低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出


■特長
・低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出
・高ゲイン: 300倍
   高検出効率: 72 % (入射電子エネルギー: 1.5 keV)を実現
・大受光面サイズ: 14 × 14 mm
・受光部中心にφ2.0 mmの貫通穴を形成
・4分割フォトダイオード
・薄型セラミックパッケージ
・磁性の弱い基板材質を採用

必ずお読みください

本製品は、チップが露出している未封止製品です。チップ上の電極などが外囲器によって保護されていないため一般製品と比べ、その取り扱いには厳重な注意が必要です。本製品をご使用になる前に、以下の「未封止製品/使用上の注意」を必ずお読みください。

未封止製品/使用上の注意 [PDF]

仕様

受光面サイズ 14 x 14 mm
素子数 4
パッケージ セラミック
入射電子エネルギー範囲 typ. 1~30 keV
電子増倍率 typ. 300
逆電圧 max. 20 V
暗電流 max. 60000 pA
遮断周波数 typ. 5 MHz
端子間容量 typ. 200 pF
測定条件 Ta=25 ℃, VR=5 V

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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