InGaAsエリアイメージセンサ

G16562-0808T

320 × 256 画素の近赤外2次元イメージセンサ
(感度波長範囲: 1.12~1.85 μm)

 

G16562-0808Tは、CMOS読み出し回路 (ROIC: Readout Integrated Circuit)と裏面入射型InGaAsフォトダイオードのハイブリッド構造を採用しています。1画素は1つのInGaAsフォトダイオードと1つのROICによって構成され、Inバンプにより電気的に接続されています。ROICにはタイミング発生器が内蔵されており、簡単なデジタル入力でアナログビデオ出力が得られます。G16562-0808Tは320 × 256画素が20 μmピッチで配列されています。入射光はInGaAsフォトダイオードで光電変換された後、Inバンプを介してROICに入力されます。ROICで電圧変換して、シフトレジスタにより順次ビデオラインから出力されます。なお3段電子冷却型でハーメチック構造のメタルパッケージのため安定動作を実現しています。従来品に対してダイナミックレンジが2倍以上になるとともに、積分同時読み出し動作 (IWR: Integrate While Readout)とマルチライン読み出し機能が追加されました。


■特長
・ダイナミックレンジ: 3500
・4ポートアナログ出力
・フレームレート: 503 フレーム/s max.
 (全ライン読み出しモード、積分時間=1.98 ms、IWR動作時)
・低暗電流
・積分同時読み出し機能と積分後読み出し機能の動作が可能
・マルチライン読み出し機能
・簡易動作 (タイミング発生器内蔵)
・3段電子冷却型

感度波長範囲 1120~1850 nm
最大感度波長 typ. 1750 nm
イメージサイズ 6.40 × 5.12 mm
画素サイズ 20 × 20 μm
画素ピッチ 20 μm
総画素数 320 × 256 pixels
パッケージ メタル
冷却 3段電子冷却
フレームレート max. 503 フレーム/s
暗電流 0.3 pA
測定条件 Ta=25 ℃, Tchip=-20 ℃, Vdd1=5 V, Vdd2=3.3 V, Vpdn=3.18 V, Vinp=3.1 V, Vrst=1.7 V, fop=50 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

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