Siストリップディテクタ

S13804

高エネルギー粒子位置検出用片面SSD

 

Siストリップディテクタ (SSD)は、基板上に数μmから数十μm幅のPN接合 (粒子検出構造)がストリップ状に形成されたSiフォトダイオードです。J-PARCミューオンg-2/EDM実験*用に開発されたSSDで、高エネルギー粒子の入射位置を高精度に検出することができます。約97 × 97 mmの有感領域をもち、広い範囲の位置検出が可能です。

http://g-2.kek.jp/portal/index.html
  http://epp.phys.kyushu-u.ac.jp/index.php?g-2 (九州大学素粒子実験研究室)


■特長
・高耐圧
・高放射線耐性
・低暗電流

タイプ Poly Si-bias AC-readout
Si厚 320 ±15 μm
Si結晶面方位 <100>
降伏電圧 min. 200 V
暗電流 max. 3 μA
全空乏化電圧 max. 100 V
不良ストリップ率 max. 5 %

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

製品の購入やさらに詳しい情報についてはお問い合わせください。

  • 資料請求
  • 価格
  • 納期
  • カスタマイズ
  • サポート
  • その他

お問い合わせ

お問い合わせ内容によっては、回答にお時間をいただく場合やお答えできない場合がございますので、あらかじめご了承ください。