Siストライプディテクタ

S13804

高エネルギー粒子位置検出用片面SSD

 

Siストライプディテクタ (SSD)は、基板上に数μmから数十μm幅のPN接合 (粒子検出構造)がストライプ状に形成されたSiフォトダイオードです。J-PARCミューオンg-2/EDM実験*用に開発されたSSDで、高エネルギー粒子の入射位置を高精度に検出することができます。約97 × 97 mmの有感領域をもち、広い範囲の位置検出が可能です。

http://g-2.kek.jp/portal/index.html
  http://epp.phys.kyushu-u.ac.jp/index.php?g-2 (九州大学素粒子実験研究室)


■特長
・高耐圧
・高放射線耐性
・低暗電流

タイプ Poly Si-bias AC-readout
Si厚 320 ±15 μm
Si結晶面方位 <100>
降伏電圧 min. 200 V
暗電流 max. 3 μA
全空乏化電圧 max. 100 V
不良ストライプ率 max. 5 %

外形寸法図 (単位: mm)

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