Siフォトダイオード

S13957-01

CSP構造を採用した裏面入射型フォトダイオード

裏面入射型フォトダイオードを採用することで、チップ上に直接シンチレータをカップリングすることが可能です。製品周囲のデッドスペースが最小になるように設計されており、複数の素子をタイル状に並べて使用することが可能です。


■特長
・感度波長範囲: 400 ~ 1100 nm
・パッケージサイズ: 5 × 5 mm
・シンチレータとのカップリングが容易
 ワイヤが受光部になく、シンチレータとの光学的結合効率を最大にできるため、X線非破壊検査装置などの検出部に適しています。

必ずお読みください

本製品は、チップが露出している未封止製品です。チップ上の電極などが外囲器によって保護されていないため一般製品と比べ、その取り扱いには厳重な注意が必要です。本製品をご使用になる前に、以下の「未封止製品/使用上の注意」を必ずお読みください。

未封止製品/使用上の注意 [PDF]

仕様

受光面サイズ 4.5 × 4.5 mm
素子数 1
パッケージ ガラスエポキシ
パッケージカテゴリ CSP
冷却 非冷却
逆電圧 max. 10 V
感度波長範囲 400~1100 nm
最大感度波長 typ. 960 nm
受光感度 typ. 0.61 A/W
暗電流 max. 1000 pA
上昇時間 typ. 15 μs
端子間容量 typ. 230 pF
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=920 nm, 暗電流: VR=10 mV, 端子間容量: VR=0 V, f=10 kHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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