iPHEMOS-DD 倒立型エミッション顕微鏡

C10506-05-16

倒立型エミッション顕微鏡は、半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障位置を特定する裏面解析用システムです。
裏面からの信号検出により、ウェーハ表面へのプロービングやプローブカードの使用が容易となり、サンプル設定をスムーズに行うことができます。複数検出器、レーザ搭載を可能にしたプラットフォームは、発光・発熱解析、IR-OBIRCH 解析等、様々な解析手法を行うために最適な検出器の選択を可能とし、テスタ接続による動的解析も効率よく行うことができます。

iPHEMOS-DDは、LSIテスタと直接つなげることにより、接続ケーブル長による信号遅延を抑え、高速駆動サンプルの解析ができます。ダイレクトドッキング専用プローバにより、300 mmウェーハへの多ピン針あてが可能です。またオプション追加により、パッケージ解析、マニピュレータによる針当ても可能となります。

LSIテスタとの接続例

特長

  • 発光と発熱解析用の超高感度カメラを2台搭載可能
  • 最大3波長までのレーザ及びEOP用プローブ光源を搭載可能
  • 複数検出器搭載可能なマルチプラットフォーム
  • 高感度マクロレンズ及び各検出器感度波長に最適なレンズを、最大10本まで搭載可能

オプション機能

  • レーザスキャンシステム搭載
  • 高感度近赤外カメラによる発光解析
  • 高感度中赤外カメラによる発熱解析
  • IR-OBIRCH解析
  • レーザ照射ダイナミック解析
  • EOプロービング解析
  • NanoLensによる高解像度・高感度解析
  • CADナビゲーションとの接続
  • LSIテスターとの接続

基本表示機能

スーパーインポーズ・コントラストエンハンスメント機能

iPHEMOS-DD 製品特長

iPHEMOS-DDでは、スーパーインポーズ機能により、高解像度のパターン像に検出した信号像を重ね合わせて表示し、容易に検出箇所の部位を特定することができます。また、コントラストエンハンスメント機能により、低コントラスト像を明確な画像に改善することが可能です。

表示機能

  • アノテーション:コメント、矢印、その他の表示を画像上の任意の位置に表示します。
  • スケール表示:画像上にスケール幅を線分で表示します。
  • グリッド表示:画像上に縦横方向に等間隔のグリッド線を表示します。
  • サムネイル表示:サムネイル化した画像を蓄積保存することができ、また元の画像に再生することが可能です。
  • マルチ画面表示:4画面にパターン像、発光像、スーパーインポーズ像及び参照画像を一度に表示できます。

仕様

電源AC 200 V、50 Hz/60 Hz
消費電力約1400(Max.3300) VA
真空源約80 kPa以上
圧縮空気0.5 MPa~0.7 MPa
外形寸法/質量本体:1980 mm(W)×1270 mm(D)×834 mm(H)、約1700 kg
制御ラック:880 mm(W)×700 mm(D)×1842 mm(H)、約300 kg
制御デスク:1400 mm(W)×800 mm(D)×700 mm(H)、約60 kg

※ iPHEMOS-DD本体の質量は、プローバ相当を含めた値です。

製品の購入やさらに詳しい情報についてはお問い合わせください。

  • 資料請求
  • 価格
  • 納期
  • カスタマイズ
  • デモ依頼
  • サポート
  • その他

お問い合わせ

お問い合わせ内容によっては、回答にお時間をいただく場合やお答えできない場合がございますので、あらかじめご了承ください。