iPHEMOS-DD 倒立型エミッション顕微鏡

C10506-05-16

倒立型エミッション顕微鏡は、半導体デバイスの故障に起因する発光・発熱などをとらえて故障位置を特定する裏面解析用システムです。
裏面からの信号検出により、ウェーハ表面へのプロービングやプローブカードの使用が容易となり、サンプル設定をスムーズに行うことができます。複数検出器、レーザ搭載を可能にしたプラットフォームは、発光・発熱解析、IR-OBIRCH 解析等、様々な解析手法を行うために最適な検出器の選択を可能とし、テスタ接続による動的解析も効率よく行うことができます。

iPHEMOS-DDは、LSIテスタと直接つなげることにより、接続ケーブル長による信号遅延を抑え、高速駆動サンプルの解析ができます。ダイレクトドッキング専用プローバにより、300 mmウェーハへの多ピン針あてが可能です。またオプション追加により、パッケージ解析、マニピュレータによる針当ても可能となります。

LSIテスタとの接続例

iPHEMOS-DD 接続例

特長

  • 発光と発熱解析用の超高感度カメラを2台搭載可能
  • 最大3波長までのレーザ及びEOP用プローブ光源を搭載可能
  • 複数検出器搭載可能なマルチプラットフォーム
  • 高感度マクロレンズ及び各検出器感度波長に最適なレンズを、最大10本まで搭載可能

オプション機能

  • レーザスキャンシステム搭載
  • 高感度近赤外カメラによる発光解析
  • 高感度中赤外カメラによる発熱解析
  • IR-OBIRCH解析
  • レーザ照射ダイナミック解析
  • EOプロービング解析
  • NanoLensによる高解像度・高感度解析
  • CADナビゲーションとの接続
  • LSIテスターとの接続

基本表示機能

スーパーインポーズ・コントラストエンハンスメント機能

iPHEMOS-DD 製品特長

iPHEMOS-DDでは、スーパーインポーズ機能により、高解像度のパターン像に検出した信号像を重ね合わせて表示し、容易に検出箇所の部位を特定することができます。また、コントラストエンハンスメント機能により、低コントラスト像を明確な画像に改善することが可能です。

表示機能

  • アノテーション:コメント、矢印、その他の表示を画像上の任意の位置に表示します。
  • スケール表示:画像上にスケール幅を線分で表示します。
  • グリッド表示:画像上に縦横方向に等間隔のグリッド線を表示します。
  • サムネイル表示:サムネイル化した画像を蓄積保存することができ、また元の画像に再生することが可能です。
  • マルチ画面表示:4画面にパターン像、発光像、スーパーインポーズ像及び参照画像を一度に表示できます。

仕様

電源AC 200 V、50 Hz/60 Hz
消費電力約1400(Max.3300) VA
真空源約80 kPa以上
圧縮空気0.5 MPa~0.7 MPa
外形寸法/質量本体:1980 mm(W)×1270 mm(D)×834 mm(H)、約1700 kg
制御ラック:880 mm(W)×700 mm(D)×1842 mm(H)、約300 kg
制御デスク:1400 mm(W)×800 mm(D)×700 mm(H)、約60 kg

※ iPHEMOS-DD本体の質量は、プローバ相当を含めた値です。

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