InGaAsリニアイメージセンサ

G14237-512WA

近赤外イメージセンサ (0.85~1.45 μm)

G14237-512WAは、1064 nmレーザを用いたラマン分光測定用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。ラマンスペクトル域の計測に特化するため、従来品 (G11508-512 SA)よりもカットオフ波長を短くして、低暗電流化を実現しています。本製品はInGaAsフォトダイオードアレイとCMOSチップ上に形成されたチャージアンプ、オフセット補償回路、シフトレジスタ、タイミング発生回路で構成されています。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため、近赤外域で高感度と安定した動作を実現しています。パッケージは気密封止されており信頼性に優れています。 CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって4種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から選択できます。


■特長
・低ノイズ、極低暗電流 [従来品 (カットオフ波長: 1.7 μm)の1/10以下]
・4種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)
・高分解能: 25 μmピッチ

イメージサイズ 12.8 x 0.5 mm
画素サイズ 25 x 500 μm
画素ピッチ 25 μm
総画素数 512 pixels
パッケージ メタル
冷却 2段電子冷却
ラインレート max. 9150 ライン/s
感度波長範囲 850~1450 nm
暗電流 max. 2 pA
測定条件 指定のない場合は、Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V, INP=Vinp=PDN=4 V, Fref=1.2V,Vclk=5V, f=1 MHz, CE=16 nV/e-

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

製品の購入やさらに詳しい情報についてはお問い合わせください。

  • 資料請求
  • 価格
  • 納期
  • カスタマイズ
  • サポート
  • その他

お問い合わせ

お問い合わせ内容によっては、回答にお時間をいただく場合やお答えできない場合がございますので、あらかじめご了承ください。