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InGaAsリニアイメージセンサ

G14237-512WA

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近赤外イメージセンサ (0.85~1.45 μm)

G14237-512WAは、1064 nmレーザを用いたラマン分光測定用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。ラマンスペクトル域の計測に特化するため、従来品 (G11508-512 SA)よりもカットオフ波長を短くして、低暗電流化を実現しています。本製品はInGaAsフォトダイオードアレイとCMOSチップ上に形成されたチャージアンプ、オフセット補償回路、シフトレジスタ、タイミング発生回路で構成されています。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため、近赤外域で高感度と安定した動作を実現しています。パッケージは気密封止されており信頼性に優れています。 CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって4種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から選択できます。


■特長
・低ノイズ、極低暗電流 [従来品 (カットオフ波長: 1.7 μm)の1/10以下]
・4種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)
・高分解能: 25 μmピッチ

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仕様

イメージサイズ 12.8 x 0.5 mm
画素サイズ 25 x 500 μm
画素ピッチ 25 μm
総画素数 512 pixels
パッケージ メタル
冷却 2段電子冷却
ラインレート max. 9150 ライン/s
感度波長範囲 850~1450 nm
暗電流 max. 2 pA
測定条件 指定のない場合は、Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V, INP=Vinp=PDN=4 V, Fref=1.2V,Vclk=5V, f=1 MHz, CE=16 nV/e-

分光感度特性

KMIRB0108

外形寸法図 (単位: mm)

KMIRA0038

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