CMOSリニアイメージセンサ

S11639-01

高感度、縦長画素の受光部を採用

 

縦長画素 (14 × 200 μm)の受光部を採用した高感度CMOSリニアイメージセンサです。紫外域においても、高感度・高耐性を実現しています。5 V単一電源で動作するため、安価な分光器に適しています。


■特長
・画素サイズ: 14 × 200 μm
・2048 画素
・有効受光面長: 28.672 mm
・高感度: 1300 V/(lx・s)
・紫外~近赤外域で高感度(感度波長範囲: 200~1000 nm)
・全画素同時蓄積
・蓄積時間の可変機能付き (電子シャッタ機能)
・5 V単一電源動作
・タイミング発生回路を内蔵し、スタートパルスとクロックパルスだけで動作
・ビデオデータレート: 10 MHz max.

 

応用例

SD-OCT

広帯域波長光源の光を測定対象に入射し、干渉光を分光してからリニアイメージセンサで検出します。得られた波長情報をフーリエ変換することで、測定対象の深さ方向の像を取得します。

 

 

 

リニアエンコーダ

リニアエンコーダのアブソリュートトラック読み取りに、長方画素、高ラインレート、グローバルシャッタ機能を持つ、本イメージセンサが適しています。

 

 

 

仕様

タイプ 高感度タイプ
イメージサイズ 28.672 x 0.200 mm
有効画素数 2048 x 1 pixels
画素サイズ 14 x 200 μm
感度波長範囲 200~1000 nm
ラインレート max. 4672 ライン/s
冷却 非冷却
窓材 石英
パッケージ LCP
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V, f(CLK)=10 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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