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NMOSリニアイメージセンサ

S8381-512Q

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赤外域高感度のNMOSリニアイメージセンサ

標準のNMOSリニアイメージセンサに比べ、赤外域、軟X線域において高感度になるように設計されたタイプです。最大感度波長は近赤外域 (λp=750 nm) となっています。S8381-512Qは25 μm × 2.5 mm のフォトダイオードが直線的に並んでいます。受光窓は、石英を標準品としています。


■特長
・赤外域、軟X線域で高感度
・広い受光面
・フォトダイオードの紫外感度が高く、紫外線照射に対して特性が安定している
・低暗電流、大飽和電荷量のため、常温で長い蓄積時間と広いダイナミックレンジが得られる
・優れた出力直線性とユニフォミティ (感度の均一性)
・低消費電力: 1 mW max.
・スタートパルス、クロックパルスは、CMOSロジックコンパチブル

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仕様

タイプ 電流出力タイプ
(赤外高感度タイプ)
イメージサイズ 12.8 x 2.5 mm
有効画素数 512 x 1 pixels
画素サイズ 25 x 2500 μm
感度波長範囲 200~1000 nm
ラインレート max. 3900 ライン/s
冷却 非冷却
窓材 石英
パッケージ セラミック
専用駆動回路 C7884, C7884G, C7884-01, C7884G-01, C8892
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃
飽和電荷量: Vb=2.0 V, Vφ=5.0 V

分光感度特性

KMPDB0161

外形寸法図 (単位: mm)

KMPDA0061

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