アプリケーション | QPM光学モジュール

半導体の表面欠陥や微小なパーティクルを検出

半導体市場においてデバイスの積層化や微細化が進み、より微細な異物・欠陥検査が求められています。QPM光学モジュールは、通常の明視野観察では見えない、ウェーハ表面に存在する微小な異物や欠陥の高速測定を実現しており、半導体デバイスの歩留まり向上が期待されています。

1. TEGのウェーハ表面

右の撮像例はTEG(Test Element Group)のウェーハ表面をQPM光学モジュールで撮像したものです。高精細な画像を取得可能なため、拡大画像でも微細な線幅(配線パターン幅1um )の均一性を見ることができます。

2. 半導体ウェーハ表面(エッジ部)

ナノレベルのバンプ状欠陥を測定可能です。QPM光学モジュールで撮像された画像を応用することで、断面プロファイルを取得することもできます。

ナノスケールのバンプ

励起光・バンド端発光・蛍光の同時測定結果

断面Aのプロファイル

断面Bのプロファイル

3. 化合物半導体ウェーハ表面のピット状欠陥の観察(明視野観察画像との比較)

明視野観察画像では、検出困難であったナノレベルのピット状欠陥をQPM光学モジュールでは検出可能です。

QPM光学モジュールを使用した観察画像

励起光・バンド端発光・蛍光の同時測定結果

明視野観察画像

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