InGaAsエリアイメージセンサ

G17243-0808T

広い感度波長範囲 (0.9 μm ~ 2.55 μm)、
近赤外2次元イメージセンサ (320 × 256画素)

 

G17242/G17243-0808Tは、近赤外ハイパースペクトルイメージング用に設計されたInGaAsエリアイメージセンサです。
カットオフ 波長の異なるInGaAsチップを高精度に並列配置して、広い感度波長範囲で高いS/Nを実現しています。CMOS読み出し回路 (ROIC: Readout Integrated Circuit)と裏面入射型InGaAsフォトダイオードのハイブリッド構造を採用しています。1画素は1つのInGaAs フォトダイオードと1つのROICによって構成され、Inバンプにより電気的に接続されています。ROICにはタイミング発生器が内蔵されており、簡単なデジタル入力でアナログビデオ出力が得られます。


■特長
・ダイナミックレンジ: 3500
・4ポートアナログ出力
・フレームレート: 503 frames/s max. (全ライン読み出しモード、積分時間=1.98 ms、IWR動作時)
・低暗電流
・積分同時読み出し機能と積分後読み出し機能の動作が可能
・マルチライン読み出し機能
・簡易動作 (タイミング発生器を内蔵)
・3段電子冷却型

イメージサイズ 6.40 mm × 1.60 mm (1.7 μmエリア)
6.40 mm × 1.60 mm (2.2 μmエリア)
6.40 mm × 1.60 mm (2.6 μmエリア)
画素サイズ 20 μm × 20 μm
画素ピッチ 20 μm
有効画素数 320 × 240
パッケージ メタル
冷却 3段電子冷却
フレームレート max. 503 frames/s
感度波長範囲 900 nm ~ 1650 nm (1.7 μmエリア)
1300 nm ~ 2150 nm (2.2 μmエリア)
1700 nm ~ 2550 nm (2.6 μmエリア)
最大感度波長 typ. 1550 nm (1.7 μmエリア)
1950 nm (2.2 μmエリア)
2250 nm (2.6 μmエリア)
暗電流 typ. 0.01 pA (1.7 μmエリア)
3.0 pA (2.2 μmエリア)
30 pA (2.6 μmエリア)
測定条件 Ta=25 ℃, Tchip=-20 ℃, Vdd1=5.0 V, Vdd2=3.3 V, Vpdn=3.18 V, Vinp=3.1 V, Vrst=1.7 V, fop=50 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

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