InGaAsリニアイメージセンサ

G12230-512WB

2つのInGaAsチップを搭載 (カットオフ波長: 1.65 μm, 2.15 μm)
近赤外イメージセンサ (0.95~2.15 μm)

G12230-512WBは、近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計されたInGaAsリニアイメージセンサです。カットオフ波長の異なる2つのInGaAsチップを高精度に直列配置して、広い感度波長範囲で高いS/Nを実現しています。CMOSチップはチャージアンプ、シフトレジスタ、およびタイミング発生回路で構成されています。チャージアンプはCMOSトランジスタアレイで構成され、InGaAsフォトダイオードアレイの各画素に接続されています。各画素からの信号は電荷蓄積モードで読み出されるため,広い感度波長範囲で高い感度と安定した動作が得られます。パッケージは気密封止されており信頼性に優れています。 CMOSチップ上の信号処理回路は、外部電圧によって2種類の変換効率 (CE: conversion efficiency)から用途に適した値を選択できます。


■特長
・2つのInGaAsチップを搭載
・低ノイズ、低暗電流
・2種類の変換効率から選択可能
・飽和対策回路を内蔵
・CDS回路を内蔵
・サーミスタ内蔵
・簡単動作 (タイミング発生回路を内蔵)
・高分解能: 25 μmピッチ

イメージサイズ 12.8 x 0.25 mm
画素サイズ 25 x 250 μm
画素ピッチ 25 μm
総画素数 512 pixels
パッケージ メタル
冷却 2段電子冷却
ラインレート max. 9150 ライン/s
感度波長範囲 950~2150 nm
測定条件 Typ. Ta=25 ℃, Vdd=5 V, INP=Vinp=PDN=4 V, Fvref=1.2V, Vφ=5V, f=1 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

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