ステルスダイシング技術

ステルスダイシング技術

論文・学会発表情報 | ステルスダイシング™技術

ステルスダイシング™技術は、レーザを用いた全く新しい概念のレーザダイシング技術です。「完全ドライプロセス」「切削ロスゼロ」「チッピングレス」「高い抗折強度」などの特長により、MEMSデバイスやメモリデバイスなど、適応デバイスは拡大しています。

論文発表情報

国際論文

H. Kiyota, K. Hara, M. Jankowski, and M. M. Fejer, “Numerical simulation and validation of subsurface modification and crack formation induced by nanosecond-pulsed laser processing in monocrystalline silicon,” J. Appl. Phys., vol. 127, no. 8, 85106, Feb. 2020, doi: 10.1063/1.5130701.
Y. Takiguchi, M. Oyaizu, M. Nakano, T. Inoue, and H. Toyoda, “Suppression of backside damage in nanosecond internal-focusing pulse laser dicing with wavefront modulation,” Opt. Eng., vol. 56, no. 7, pp. 1–7, Jul. 2017, doi: 10.1117/1.OE.56.7.077109.
M. Kumagai, N. Uchiyama, E. Ohmura, R. Sugiura, K. Atsumi, and K. Fukumitsu, “Advanced Dicing Technology for Semiconductor Wafer—Stealth Dicing,” IEEE Trans. Semicond. Manuf., vol. 20, no. 3, pp. 259–265, 2007, doi: 10.1109/TSM.2007.901849.

論文（日本）

大村悦二, 熊谷正芳, 福満憲志, 中野誠, 内山直己, 森田英毅, “透過性パルスレーザによる極薄シリコンウェハの内部改質,” 精密工学会誌, vol. 74, no. 3, pp. 275–281, 2008, doi: 10.2493/jjspe.74.275.
大村悦二, 福満憲志, 熊谷正芳, 森田英毅, “ナノ秒レーザによる単結晶シリコンの内部改質層形成機構の解析,” 日本機械学会論文集 C編, vol. 74, no. 738, pp. 446–452, 2008, doi: 10.1299/kikaic.74.446.

学会発表情報

国際学会

N. Suzuki, T. Nakamura, Y. Kondo, S. Tominaga, K. Atsumi, and T. Ohba, “Damage-Less Singulation of Ultra-Thin Wafers using Stealth Dicing,” 2020 IEEE 70th Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2020, pp. 1043–1049, doi: 10.1109/ECTC32862.2020.00169.
N. Suzuki, K. Atsumi, N. Uchiyama, and T. Ohba, “Improving Throughput of Zero-Kerf Singulation for Ultra-Thin Wafers using Stealth Dicing,” 2018 13th International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT), 2018, pp. 55–57, doi: 10.1109/IMPACT.2018.8625832.
Y. Nara and H. Kiyota, “Direct observation of internal void formations in Stealth Dicing,” Proc.SPIE, Feb. 2018, vol. 10520, doi: 10.1117/12.2288238.
Y. Nara and H. Kiyota, “Stealth Dicing technology with SWIR laser realizing high throughput Si wafer dicing,” Proc.SPIE, Feb. 2018, vol. 10520, doi: 10.1117/12.2289235.
N. Suzuki, X. Shiqin, K. Atsumi, N. Uchiyama, and T. Ohba, “Laser dicing for higher chip productivity,” 2016 11th International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT), 2016, pp. 62–64, doi: 10.1109/IMPACT.2016.7799992.
Y. Takiguchi, N. Matsumoto, M. Oyaizu, J. Okuma, M. Nakano, T. Sakamoto, H. Itoh, and T. Inoue, “Improvement of laser dicing system performance I: high-speed, high-quality processing of thick silicon wafers using spatial light modulator,” Proc.SPIE, Mar. 2013, vol. 8608, doi: 10.1117/12.2003639.
Y. Takiguchi, N. Matsumoto, M. Oyaizu, J. Okuma, M. Nakano, T. Sakamoto, H. Itoh, and T. Inoue, “Improvement of laser dicing performance II: dicing rate enhancement by multi beams and simultaneous aberration correction with phase-only spatial light modulator,” Proc.SPIE, Mar. 2013, vol. 8608, doi: 10.1117/12.2003649.
E. Ohmura, Y. Kawahito, K. Fukumitsu, J. Okuma, and H. Morita, “Analysis of internal crack propagation in silicon due to permeable pulse laser irradiation: study on processing mechanism of stealth dicing,” Proc.SPIE, Feb. 2011, vol. 7996, doi: 10.1117/12.887431.

学会（日本）

河口大祐, 関本祐介, 原佳祐, 松平渉, “ステルスダイシングを応用したクラックフリーなデバイスの作製,” 日本機械学会年次大会, vol. 2018, p. J2230101, 2018, doi: 10.1299/jsmemecj.2018.J2230101.
河口大祐, 関本祐介, 清田大樹, 原佳祐, 伊ヶ崎泰則, “内部吸収型レーザダイシングによる機械信頼性向上,” 日本機械学会年次大会, vol. 2017, p. J2210202, 2017, doi: 10.1299/jsmemecj.2017.J2210202.

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