InGaAs PINフォトダイオード

G8370-82

低PDL (Polarization Dependence Loss)を実現したフォトダイオード

本製品は、1.5 μm帯で低PDL (Polarization Dependence Loss)を実現したInGaAs PINフォトダイオードです。低雑音、大並列抵抗という特長ももっています。

■特長
・低PDL (Polarization Dependence Loss)
・低雑音、低暗電流
・大並列抵抗
・大受光面サイズ: φ2 mmタイプ

受光面サイズ φ2.0 mm
素子数 1
パッケージ メタル
パッケージカテゴリ TO-5
冷却 非冷却
感度波長範囲 0.9~1.7 μm
最大感度波長 typ. 1.55 μm
受光感度 typ. 1.1 A/W
暗電流 max. 25 nA
遮断周波数 typ. 4 MHz
端子間容量 typ. 550 pF
雑音等価電力 typ. 4×10-14 W/Hz1/2
測定条件 指定のない場合はTyp. Ta=25 ℃, 受光感度: λ=λp, 暗電流: VR=1 V, 遮断周波数: VR=1 V, RL=50 Ω, -3 dB, 端子間容量: VR=1 V, f=1 MHz

分光感度特性

外形寸法図 (単位: mm)

関連ドキュメント

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